铜
　　Cu是应用最广的导电材料和触头材料。铝虽然也是一种应用最广的导电材料，但它的导电、导热、熔点、沸点及硬度等都不如铜，铜的导电、导热性仅次于银（Ag），在复合材料未发展前，铜是主要的触头材料。铜作为触头材料的弱点是在空气中易氧化，在200℃以下时，生成CuO表面膜，可达10～1000nm；200℃以上时又附加一层CuO表面膜，其电阻率可达106Ω。当温度达120℃时，因表面氧化膜的影响可使接触电阻增加3倍，在油中也会有前述的异常磨损现象，其耐溶性及耐弧性能也不如钨（W）、钼（Mo）等金属。但从导电、耐弧、价格等综合指标看，铜是应用最广的触头材料，很多多元复合材料（合金或粉末冶金）也都是以铜为基。
　　银
　　银的导电率和导热率堪称金属之最，但产量有限且价格贵，因而使用量受到限制。银的表面膜（氧化膜或硫化膜）因易压碎或不耐磨而成为理想的固定接触材料，常作为铜、铝的镀层。但由于其硬度小、熔点、沸点不高，只能做继电器之类的小电流触头用，强电流触头多用银的合金或复合材料制成。
　　钨和钼
　　钨和钼的最大特点是熔化、气化温度高，质坚硬，因而耐磨、抗熔焊；但导电、导热性差，开断能力不强。空气中的钨可生成5nm厚的表面膜，在电弧作用下易生成钨的粉末状物，故常与高导电金属一起制成复合触头材料用于大电流。
　　金、铂、钯等
　　此类金属不易氧化，但价格昂贵，多用于精密、灵敏度要求高的弱电触头或插接件镀层。钛（Ti）、锆（Zr）、铟（In）等常作为满足触头某些特殊要求的添加剂。
　　铬
　　铬是触头材料的后起之秀。铬在元素周期表中与铝、钨处在同一纵列，在某些方面有相近的性质，都是各自周期中熔点、沸点最高的金属。铬的抗蚀性强，对氧的亲和力大。在真空开关的开断过程中，铬的蒸发薄膜具有吸气作用，这可以确保灭弧室有恒定的真空度而延长其工作寿命。铜与铬的合金材料（CuCr）广泛地用于真空开关中，CuCr材料也在SF6断路器中被采用。
　　二元多元材料
　　多元材料分为合金与复合材料两类。复合材料与黄铜（Cu-Zn等）、铅锡（Pb-Sn）、不锈钢（Fe-Cr）等常规冶炼（熔炼）的合金不同，它是一种机械混合物，将不互溶的高导电材料与高熔点材料制成粉末后经一定的工艺烧结而成，因其制造方法类似于陶瓷，故又称为金属陶瓷材料或粉末冶金材料。这种混合物各成分可按任意比例组合，这是熔炼法冶金办不到的。由于这种材料能保持原有不同材料的物理特性，故能相互取长补短，提高触头的综合性能。有的复合材料按一定比例及工艺混合后又在真空中电弧重熔（如铜铬（CuCr）材料），经电弧重熔后其金相结构大为改观，材料性能更接近“合金”。我们在此混称其为CuCr合金材料。实际大功率开关中的触头都离不开合金材料，由于高气压电弧与真空电弧在性质上有很大差异，真空开关触头的材料与空气、油、SF6中的触头材料在要求上是有差别的。因此，我们按这两类不同使用环境的要求作简要说明。
　　1.高气压电弧中的触头材料
　　铜-钨（Cu-W）和银-钨（Ag-W）均具有很好的耐弧性，其钨的含量常达50%~80%，适用于高、中压开关。耐弧端头由铜一钨材料所制。在中压磁吹空气断路器中，Ag-W或银一钨一石墨（Ag-W-C）用得较多，银一钼（Ag-Mo）在低压自动开关与塑壳断路器中比Ag-W和Ag-W-C更广泛。
　　当触头开断电路产生电弧时，熔化了的高导电（低熔点）材料借毛细管作用保持在高熔点金属构成的骨架中，大大限制了熔化金属的飞溅，而触头处于闭合状态时，高导电材料发挥其电阻低的强通流特性。上述毛细管作用在真空电弧环境中更具抗磨损意义。
　　银-石墨（Ag-C）和铜-石墨（Cu-C）的最大特点是高的抗熔焊性和良好的滑动性，因而也广泛用于弧触头、喷嘴处或滑动接触中。
　　银-氧化镉（Ag-CdO）、银-钯（Ag-Pd）、银-铂（Ag-Pt）、银一镉（Ag-Cd）、银-镍（Ag-Ni）等则是低压开关电器中用得较多的触头材料。Cd在电弧高温下能生成CdO，而CdO能分解成Cd蒸气和氧，有显著的气吹效应。由于Cd是一种有毒物质，故正在用银一氧化镍（Ag-NiO）及银一二氧化锡一三氧化二铟（Ag-SnO2-In2O3）等替代Ag-CdO。Ag与Ni的合金能增大硬度，改善熔焊和分断过程中的液桥转移现象（分断过程中熔化的金属在动、静触头间拉成金属丝，而断裂常偏向一边，故使触头材料一边增多，一边减少，这种现象称之为桥转移，多存在于弱电触头间）。
　　2.真空开关中的触头材料
　　真空开关为对接式，对触头材料的抗熔焊、含气量、通流导热、截流水平（“截流”即电弧电流不在过零点被强行开断）等提出了更苛刻的要求。早年真空开关的触头材料全部都是采用W、Mo等难熔金属，因为W、Mo可高温除气，故解决了Cu在真空中易熔焊和开断过程的放气问题，但W、Mo等触头因热发射而难于开断大电流，故后来才发展了W-Cu-Ti-Bi、W-Cu-Ti-Sn、W-In-Cu、W-Cu-Zr、W-Cu-Bi和Cu-Bi等，它们都是以铜为基础（其体积大于50%），Ti、Zr等用于吸气，Bi、Sn等用于抗熔焊。硼（B）和碳（C）等的化合物也被作为难熔物质用于真空触头材料中。上述材料的开断电流都不大，但它们磨损小、抗熔焊性强、截流水平较低。后来又研究出性能更好的CuCr、CuCrFe、CuCTa等合金。
　　AgWC、Sb-Mo有低的截流水平和足够的开断能力，因而在高压真空接触器中用得较多。
　　与上述材料相比，CuCr材料具有较好的综合特性，如短路电流开断能力强、介质强度高、耐烧蚀、截流低等。CuCr的吸气效应大于放气，这样就比其他材料有更好的动态真空度。近年有报道说铜钽（Cu-Ta）甚至有比CuCr更好的特性。
　　触头材料的性能与其制造工艺是有密切关系的，同样的含量成分，制备工艺和方法不同，其性能也会有一定差异。
　　近年来CuCr触头材料在SF6断路器中也有越来越多的应用。使用自力型触头的SF6断路器，其主触头、中间触头由CuCr合金制成，弧触头由两种材料制成，其头部为铜钨合金（CuW80或CuW70），其余为铜铬合金，两材料通过熔焊或粉末冶金方法连接。